时钟源通常是系统中最严重的EMI辐射源，如果接长线，其结果是长线就成了天线，这在很多应用中是不准许的，所有时钟源都必须尽量靠近相关器件，必要时用多个时钟源，不得以下可以采用多层PCB将时钟连线屏蔽（但这种方法只有在不得以下为之，而且成本未必低于多时钟（多层PCB的价格明显高于双面板），要过某些强制标准的产品尽量不要这么干）。有源晶振的输出一般是标准TTL规格，至于能驱动多少芯片要看这些芯片的特性。

印制电路板(PCB)是电子产品中电路元件和器件的支撑件．它提供电路元件和器件之间的电气连接。随着电于技术的飞速发展，PCB的密度越来越高。PCB晶振电路板设计的好坏对抗干扰能力影响很大．因此，在进行PCB设计时．必须遵守PCB设计的一般原则，并应符合抗干扰设计的要求。首先，要考虑PCB尺寸大小。PCB尺寸过大时，印制线条长，阻抗增加，抗噪声能力下降，成本也增加；过小，则散热不好，且邻近线条易受干扰。在确定PCB尺寸后．再确定特殊元件的位置。最后，根据电路的功能单元，对电路的全部元器件进行布局。

晶振的选择和PCB布局(一)

为了限制VCXO晶振的调谐范围，可通过改变外部并联电容设置向上的调节范围。并联电容取值范围为4 - 7pf，取决于电路板寄生电容。另一方面，向下的调节范围取决于内部变容二极管值，不能由外部改变。为了降低寄生电容对向上频率调节范围的影响，在电路板布局中应尽可能的减少PCB晶振引脚对地的寄生电容，保证引脚与地层和电源层之间的清洁。

布局推荐

1. X1 和X2 晶体引脚均为高阻引脚，必须小心处理。需确保晶体与X1,X2 引脚之间的连线距离最短，必须小于5mm。

2. 确保VDD引脚具有良好的退藕性。（VDD与地之间连接一个0.1uF电容）

3. 即使信号位于板内层，也不能允许信号线靠近X1 和X2 引脚。在时钟晶振引脚周围使用接地保护环。在内部或板反面使用接地保护敷铜。目前有很多表面封装晶体可用。应当注意：通过图中示意的孔将保护环与地相连。

1. Crystal下不可走线，电路尽量靠近chip端，并且与其输出时钟相关的时钟线走线等长，等阻抗。

2.跟踪尽量短，与其他信号需要20mil间距，最好使用地面跟踪与其他信号隔离。

3.Crystal底下尽量不要走线。 如果实在要走线的话，不能走线进水晶脚脚周围50mil之内。尤其避免高速讯号。

系统中最复杂的部分是时钟，100M频率时钟晶振对时钟来说是200M。FPGA的时钟输入要使用全局时钟引脚。高热下时钟漂移，要加锁相环同步电路。FPGA全部用同步设计，不直接用组合逻辑。

PCB晶振参考最小化设计，电源部分需要加磁珠和小电容去耦，输出加始端匹配(频率不高就不用加匹配，远端有时也要加匹配，防反射，PCI除外)，晶振下面铺数字地，多打孔，孔挨着pin。时钟走线要看你采用什么分配方案。是公共时钟同步还是源时钟同步，要不要加时钟分配器件，加几级驱动。

实际走线长短根据分配方案和拓扑结构具体计算(尽量偏短)，时钟分配器件下要铺铜，未用引脚用1K电阻下拉到地。多级驱动要加PLL补偿(补偿值需要计算)。 国产133M及以上晶振不可靠，可以从33M倍频产生133M，这样好选材。要么选日本货等。 时钟晶振输出最好不分叉，实在不行最多分两路(特指低速，高速必须点对点)，其他情况必须加时钟驱动。时钟驱动最多带2个负载，分叉后相位可能跑偏。

在布局上，时钟电路周围走低速低压信号电路，远离电源，约束在同层走线，保证阻抗连续，尽量走在少受干扰的内层，石英晶振不要靠近板边。走等长线的部分周围要留出足够的空间(注意3W规则，100M以上时钟线必须拉圆弧线)。点对点、菊花链结构最常用。晶振下最好不走线，尤其是高速信号线。注意大电容焊盘的特殊处理，要求保证大电流供电能力。 总之，时钟是关键信号线，所有安排一律从优，要特殊照顾。

1.有正弦波输出的贴片晶振,输出负载为10k;如果10k的负载能力不够,必须加缓冲电路,使PLL的参考与单片机的时钟相隔离;

2.晶振输出到PLL的信号线不能长,再加上TTL电平,辐射太厉害了;

3.晶振PCB表面铺地,周围通过过孔与底层大面积地相连;

4.晶振输出接带通滤波器,PLL输出接带通滤波器;

5.对两个PLL分别进行屏蔽;晶振输出接两个PLL,很难把信号线走短,最好是用同轴线从底层连接.

6.主要是做好屏蔽,尤其是接收电路部分,不光要屏蔽,还要考虑接地；

(a）缓冲电路是指在你的晶振负载能力很弱的情况下使用,提高驱动能力,还起到隔离的效果,由于你现在使用TTL输出电平的晶振,驱动能力强,而且能改善PLL的带内噪声,所以可以不加缓冲放大器,主要是要解决辐射干扰问题;如果有板子上地方,也可以加一个简单的晶体管限幅放大器,会有点好处.

(b）一般超短波频段和微波频段,射频前端均是收发开关或双工器-滤波器-LNA-滤波器-混频模式;短波一般是收发开关-滤波器-混频模式.

(c）晶振输出,我做过实验,采用普通的陶瓷滤波器进行滤波,效果是有改善,不过还是不是很理想. 所以我才采用电容强拉波形.

晶振的选择和PCB布局(二)

晶体的选择和PCB板布局会对VCXO、CLK发生器的性能参数产生一定的影响。选择晶体时，除了频率、封装、精度和工作温度范围，在VCXO应用中还应注意等效串联电阻和负载电容。串联电阻导致晶体的功耗增大。阻值越低，振荡器越容易起振。负载电容是晶体的一个重要参数，首先，它决定了晶体的谐振频率。一般石英晶体谐振器的标称频率指的是其并联指定负载电容后的谐振频率。应当指出，此处的标称频率是当CL等于指定负载电容时利用公式(1)计算出的值，但不是利用计算出的值。因此，VCXO的调谐范围与CL的值紧密相关。当负载电容值较小时，VCXO的调谐范围限制在上端；同样，电容值较大时，调谐范围将限制在下端。负载电容的适当取值取决于VCXO的特性。例如，VCXO晶振设计中，为了均衡。

调谐范围、调谐曲线中点、同时简化电路板设计，我们选择具有14pf负载电容的27MHz晶体。使用这样的晶体时，具有±200ppm的牵引范围。应该指出，封装会导致晶体牵引范围的差异。一般金属壳封装比表贴器件(SMD晶振)的牵引范围更大。