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Frequency晶振,差分晶振,FTL1晶振,LV-PECL输出振荡器

Frequency晶振,差分晶振,FTL1晶振,LV-PECL输出振荡器

频率:0.75MHz - 1400MHz     尺寸:7.0*5.0*2.0mm

具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,体积:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

KDS晶振,DSV753SK晶振,贴片型压控晶振

KDS晶振,DSV753SK晶振,贴片型压控晶振

频率:40~170MHz  尺寸:7.3*4.9mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV753SJ晶振,VCXO晶振

KDS晶振,DSV753SJ晶振,VCXO晶振

频率:80~170MHz  尺寸:7.3*4.9mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV753HK晶振,差分振荡器

KDS晶振,DSV753HK晶振,差分振荡器

频率:170~350MHz  尺寸:5.0*7.0mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV753HJ晶振,有源贴片晶振

KDS晶振,DSV753HJ晶振,有源贴片晶振

频率:170~350MHz  尺寸:5.0*7.0mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
SITIME晶振,SiT9366晶振,MEMS振荡器

SITIME晶振,SiT9366晶振,MEMS振荡器

频率: 1~220MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT9365晶振,MEMS振荡器

SITIME晶振,SiT9365晶振,MEMS振荡器

频率: 25~322.265MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT9122晶振,可编程差分振荡器

SITIME晶振,SiT9122晶振,可编程差分振荡器

频率: 220~625MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT9121晶振,可编程差分振荡器

SITIME晶振,SiT9121晶振,可编程差分振荡器

频率: 1~220MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

IDT晶振,XUQ晶振,5032晶振

IDT晶振,XUQ晶振,5032晶振

频率:0.016~670MHz 尺寸:5.0*3.2mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
IDT晶振,XUP晶振,石英晶体振荡器

IDT晶振,XUP晶振,石英晶体振荡器

频率:0.016~670MHz 尺寸:5.0*3.2mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
IDT晶振,XLP晶振,差分晶振

IDT晶振,XLP晶振,差分晶振

频率:0.75~1350MHz 尺寸:5.0*3.2mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
IDT晶振,8N4S270晶振,OSC晶振

IDT晶振,8N4S270晶振,OSC晶振

频率:15.476~1300MHz 尺寸:7.0*5.0mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
IDT晶振,8N3S272晶振,差分晶振

IDT晶振,8N3S272晶振,差分晶振

频率:15.476~1300MHz 尺寸:7.0*5.0mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
IDT晶振,8N3S270晶振,LV-PECL输出晶振

IDT晶振,8N3S270晶振,LV-PECL输出晶振

频率:15.476~1300MHz 尺寸:7.0*5.0mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
IDT晶振,8N3DV85晶振,欧美有源晶振

IDT晶振,8N3DV85晶振,欧美有源晶振

频率:15.476~1300MHz 尺寸:7.0*5.0mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
IDT晶振,8N3D085晶振,欧美石英晶体振荡器

IDT晶振,8N3D085晶振,欧美石英晶体振荡器

频率:15.476~1300MHz 尺寸:7.0*5.0mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
泰艺晶振,差分晶振,OW-M晶振

泰艺晶振,差分晶振,OW-M晶振

频率:10~1500MHz 尺寸:5.0*3.2mm 5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
泰艺晶振,差分贴片晶振,OW晶振

泰艺晶振,差分贴片晶振,OW晶振

频率:10~320MHz 尺寸:5.0*3.2mm 5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
泰艺晶振,差分晶振,OT-M晶振

泰艺晶振,差分晶振,OT-M晶振

频率:10~1500MHz 尺寸:5.0*7.0mm 贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理

石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理

将二氧化硅(SiO2)结晶体按一定的方向切割成很薄的晶片, 再将晶片两个对应的表面抛光和涂敷银层, 并作为两个极引出管脚, 加以封装, 就构成石英晶体谐振器。石英晶体谐振器, 简称石英晶体, 具有非常稳定的固有频率。下面CEOB2B晶振平台要给大家介绍的是晶振的压电效应以及等效电路,石英晶体振荡电路等.

1.压电效应和压电振荡

在石英晶体两个管脚加交变电场时, 它将会产有利于一定频率的机械变形, 而这种机械振动又会产生交变电场, 上述物理现象称为压电效应。 一般情况下, 无论是机械振动的振幅, 还是交变电场的振幅都非常小。但是, 当交变电场的频率为某一特定值时, 振幅骤然增大, 产生共振, 称之为压电振荡。这一特定频率就是石英晶体的固有频率, 也称谐振频率。
 2.石英晶体的等效电路和振荡频率
石英晶体的等效电路,当石英晶振晶体不振动时, 可等效为一个平板电容C0, 称为静态电容;其值决定于晶片的几何尺寸和电极面积, 一般约为几到几十皮法。当晶片产生振动时, 机械振动的惯性等效为电感L, 其值为几毫亨。贴片晶振,石英晶体晶片的弹性等效为电容C, 其值仅为0.01到0.1pF, 因此, CL数值很大, 所以Q值高达104~106。 频率稳定度Δf/f0可达10-6~10-8, 采用稳频措施后可达10-10~10-11。而LC振荡器的Q值只能达到几百, 频率稳定度只能达到10-5。
二、石英晶体正弦波振荡电路
 1.并联型石英晶体正弦波振荡电路
如果用石英晶体取代LC振荡电路中的电感, 就得到并联型石英晶体振荡器,石英晶体正弦波振荡电路,电路的振荡频率等于石英晶体的并联谐振频率。
 2.串联型石英晶体振荡电路
串联型石英晶体振荡电路,电容Cb为旁路电容, 对交流信号可视为短路.电路的第一级为共基放大电路, 第二级为共集放大电路。 若断开反馈, 给放大电路加输入电压是, 极性上“+”下“-”;则T1管集电极动态电位为“+”, T2管的发射极动态电位也为“+”。 只有在石英贴片晶振,水晶振荡子,石英晶体呈纯阻性, 即产生串联谐振时, 反馈电压才与输入电压同相, 电路才满足正弦波振荡的相位平衡条件。 所以电路的振荡频率为石英晶体的串联谐振频率fS。调整Rf的阻值, 可使电路满足正弦波振荡的幅值平衡条件。
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