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SITIME晶振,SiT9366晶振,MEMS振荡器

SITIME晶振,SiT9366晶振,MEMS振荡器

频率: 1~220MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT9365晶振,MEMS振荡器

SITIME晶振,SiT9365晶振,MEMS振荡器

频率: 25~322.265MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT9122晶振,可编程差分振荡器

SITIME晶振,SiT9122晶振,可编程差分振荡器

频率: 220~625MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT9121晶振,可编程差分振荡器

SITIME晶振,SiT9121晶振,可编程差分振荡器

频率: 1~220MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT9120晶振,差分振荡器

SITIME晶振,SiT9120晶振,差分振荡器

频率: 25~212.5MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT8921B晶振,有源晶振

SITIME晶振,SiT8921B晶振,有源晶振

频率: 119.342~137MHz   尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT8920晶振,OSC晶振

SITIME晶振,SiT8920晶振,OSC晶振

频率: 1~110MHz   尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT8918晶振,MEMS振荡器

SITIME晶振,SiT8918晶振,MEMS振荡器

频率: 1~110MHz   尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT8225晶振,可编程有源晶振

SITIME晶振,SiT8225晶振,可编程有源晶振

频率: 25MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

可编程频率:SiTime振荡器提供在操作范围内的任何频率,最高可达6个小数点.通过定制频率,设计人员可以提高系统性能(微处理器/ FPGA应用程序)并减少误码率(以太网应用程序).样品自定义并在一周内交货;生产数量在3 - 5周内有效.

SITIME晶振,SiT8209晶振,普通有源晶振

SITIME晶振,SiT8209晶振,普通有源晶振

频率: 80~220MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

可编程频率:SiTime振荡器提供在操作范围内的任何频率,最高可达6个小数点.通过定制频率,设计人员可以提高系统性能(微处理器/ FPGA应用程序)并减少误码率(以太网应用程序).样品自定义并在一周内交货;生产数量在3 - 5周内有效.

SITIME晶振,SiT8208晶振,普通有源晶振

SITIME晶振,SiT8208晶振,普通有源晶振

频率: 1~80MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT8103晶振,贴片晶振

SITIME晶振,SiT8103晶振,贴片晶振

频率: 1~110MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT8102晶振,工业级MEMS振荡器

SITIME晶振,SiT8102晶振,工业级MEMS振荡器

频率: 1~200MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

SITIME晶振,SiT8033晶振,MEMS有源振荡器

SITIME晶振,SiT8033晶振,MEMS有源振荡器

频率:1~110MHz  尺寸:*2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime晶振的可配置解决方案帮助客户提高产品性能,缩小产品尺寸,提升产品可靠性,并在市场竞争中脱颖而出。SiTime MEMS振荡器计时解决方案丰富的配套功能和灵活的定制性,确保客户在优化其物料供应链的同时,降低拥有成本,加快产品开发上市周期。SiTime产品采用标准半导体制造工艺和高量产塑料封装技术的生产流程,提供业界最强的供货能力和最短的交货时间

SITIME晶振,SiT8021晶振,MEMS振荡器

SITIME晶振,SiT8021晶振,MEMS振荡器

频率:1~26MHz  尺寸:1.5*0.8mm

SiTime晶振的可配置解决方案帮助客户提高产品性能,缩小产品尺寸,提升产品可靠性,并在市场竞争中脱颖而出。SiTime MEMS振荡器计时解决方案丰富的配套功能和灵活的定制性,确保客户在优化其物料供应链的同时,降低拥有成本,加快产品开发上市周期。SiTime产品采用标准半导体制造工艺和高量产塑料封装技术的生产流程,提供业界最强的供货能力和最短的交货时间

SITIME晶振,SiT8009B晶振,MEMS振荡器

SITIME晶振,SiT8009B晶振,MEMS振荡器

频率: 115~137MHz  尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

SITIME晶振,SiT8009晶振,高频MEMS振荡器

SITIME晶振,SiT8009晶振,高频MEMS振荡器

频率: 115~137MHz  尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

SITIME晶振,SiT8008B晶振,有源晶振

SITIME晶振,SiT8008B晶振,有源晶振

频率: 1~110MHz  尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

SITIME晶振,SiT8008晶振,OSC晶振

SITIME晶振,SiT8008晶振,OSC晶振

频率: 1~110MHz  尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

SITIME晶振,SiT8004晶振,普通有源晶振

SITIME晶振,SiT8004晶振,普通有源晶振

频率: 125~150MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。

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石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理

石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理

将二氧化硅(SiO2)结晶体按一定的方向切割成很薄的晶片, 再将晶片两个对应的表面抛光和涂敷银层, 并作为两个极引出管脚, 加以封装, 就构成石英晶体谐振器。石英晶体谐振器, 简称石英晶体, 具有非常稳定的固有频率。下面CEOB2B晶振平台要给大家介绍的是晶振的压电效应以及等效电路,石英晶体振荡电路等.

1.压电效应和压电振荡

在石英晶体两个管脚加交变电场时, 它将会产有利于一定频率的机械变形, 而这种机械振动又会产生交变电场, 上述物理现象称为压电效应。 一般情况下, 无论是机械振动的振幅, 还是交变电场的振幅都非常小。但是, 当交变电场的频率为某一特定值时, 振幅骤然增大, 产生共振, 称之为压电振荡。这一特定频率就是石英晶体的固有频率, 也称谐振频率。
 2.石英晶体的等效电路和振荡频率
石英晶体的等效电路,当石英晶振晶体不振动时, 可等效为一个平板电容C0, 称为静态电容;其值决定于晶片的几何尺寸和电极面积, 一般约为几到几十皮法。当晶片产生振动时, 机械振动的惯性等效为电感L, 其值为几毫亨。贴片晶振,石英晶体晶片的弹性等效为电容C, 其值仅为0.01到0.1pF, 因此, CL数值很大, 所以Q值高达104~106。 频率稳定度Δf/f0可达10-6~10-8, 采用稳频措施后可达10-10~10-11。而LC振荡器的Q值只能达到几百, 频率稳定度只能达到10-5。
二、石英晶体正弦波振荡电路
 1.并联型石英晶体正弦波振荡电路
如果用石英晶体取代LC振荡电路中的电感, 就得到并联型石英晶体振荡器,石英晶体正弦波振荡电路,电路的振荡频率等于石英晶体的并联谐振频率。
 2.串联型石英晶体振荡电路
串联型石英晶体振荡电路,电容Cb为旁路电容, 对交流信号可视为短路.电路的第一级为共基放大电路, 第二级为共集放大电路。 若断开反馈, 给放大电路加输入电压是, 极性上“+”下“-”;则T1管集电极动态电位为“+”, T2管的发射极动态电位也为“+”。 只有在石英贴片晶振,水晶振荡子,石英晶体呈纯阻性, 即产生串联谐振时, 反馈电压才与输入电压同相, 电路才满足正弦波振荡的相位平衡条件。 所以电路的振荡频率为石英晶体的串联谐振频率fS。调整Rf的阻值, 可使电路满足正弦波振荡的幅值平衡条件。
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