频率控制元器件市场上最常用的进口晶振品牌大部分来自台湾、日本、美国等国际及地区，这些地方都是很早之前就开始研究并生产石英晶体谐振器和有源晶振工艺了。走在行业的前面，也就等于走在技术前沿，激励功率是石英晶振相对重要的一项参数。

激励功率指SMD晶振单元振荡时所消耗的电力。通常，激励功率最好控制在石英晶体单元的规格参数内，一般在约100μW以下，但需注意的是各石英晶体生产商之间略有不同。

激励功率过大时将引起振荡频率的变动、稳定度下降、等效电路参数变化或频率失真等现象。激励功率偏高还可能导致反复出现异常振荡、引发故障的恶果。激励功率（P）用下列算式（3）求出。

这里的I是流过石英晶体单元的电流，Re是石英晶体单元带负载时的等效电阻。如果激励功率超过了规格参数，就需要调整振荡电路的常数，使流过石英晶体单元的电流变小。降低Cg或Cd可使激励功率变小，但振荡电路的负载电容也将随之而变。最简单的方法是增大Rd，但损失将随之增大，负阻抗将变小。激励功率不能直接测定。

把测试针放在与振荡电路相组合的石英晶体谐振器单元HOT端子，用示波器测试施加电压Vpp，基于实测值计算流过石英晶体单元的电流。

图3表示测试激励功率时的情景。

把电流探针插在评估用石英晶体单元的端子上后，装到印刷板的石英晶体单元部。通过示波器确认振荡后，根据波形测出Vpp。

【3】结尾我们分两次解说了振荡电路的评估方法，制作最佳振荡电路需要对（1）频率匹配、（2）振荡裕度（负阻抗）和（3）激励功率分别进行最佳化。虽然对上述任意一项均设定最佳电路常数的做法最为理想，但实际工作中也会出现不适合的情况。我们在最后汇总了这时的应对方法。

A----使用评估时的电路常数即可。

B----需要重审有关激励功率的石英晶体单元规格参数。请确认本次评估结果的激励功率是否影响石英晶体单元。

C???需要重审有关负阻抗的石英晶振单元规格参数。请考虑能否变更石英晶体单元等效串联阻抗的规格参数R1，使振荡裕度达到5倍以上。

D----关于频率匹配，需要考虑把事先规定的标准负载电容调整到装配无源晶振单元的实际基板的负载电容。

E----需要采取组合“B＋C＋D”的应对方法。

F----需要采取组合“B＋C”的应对方法。

G----需要采取组合“B＋D”的应对方法。

H----需要采取组合“C＋D”的应对方法。

谨望上次及本次的信息能成为设计高可靠振荡电路之际的参考。

通过以上相关的评估方法，相信大家对进口贴片晶振又加深了了解，虽然大部分的晶振体积都很小，甚至是越做越小，但生产却并不是一件简单的事。先不说那些繁琐的生产流程和测试，就相关的技术资料就多不胜数，所以即使已有一百多年的历史了，仍然被众多科学家和晶振厂家研究。