频率: 25~322.265MHz 尺寸3.2*2.5mm,5.0*7.0mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率: 220~625MHz 尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率: 1~220MHz 尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率: 25~212.5MHz 尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率: 119.342~137MHz 尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率: 1~110MHz 尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率: 1~110MHz 尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率: 1~80MHz 尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率: 1~110MHz 尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率: 1~200MHz 尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率: 125~150MHz 尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率: 1~110MHz 尺寸:3.0*3.5mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率: 1~110MHz 尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率: 7.3728~48MHz 尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm
SiTime MEMS硅晶振,是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题。
频率:1~110MHz 尺寸:2.9*2.8mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接.
频率:1~110MHz 尺寸:2.9*2.8mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接.
频率:1~110MHz 尺寸:2.9*2.8mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接.
频率:115~137MHz 尺寸:2.9*2.8mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接.
频率:115~137MHz 尺寸:2.9*2.8mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接.
频率:1~110MHz 尺寸:2.9*2.8mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接.
TEL: 0755-27876201- CELL: 13728742863
主营 :石英晶振,贴片晶振,有源晶振,陶瓷谐振器,32.768K晶振,声表面谐振器,爱普生晶振,KDS晶振,西铁城晶振,TXC晶振等进口晶振
TEL: 0755-27837162- CELL: 13510569637
主营 :晶振,进口晶振,石英晶振,陶瓷晶振,贴片晶振,圆柱晶振,无源晶振,有源晶振,温补晶振,压控晶振,压控温补晶振,恒温晶振,差分晶振,雾化片,滤波器.
石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理
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