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Si535,535BB125M000DG,7050mm,125MHz,Silicon超低抖动晶振

Si535,535BB125M000DG,7050mm,125MHz,Silicon超低抖动晶振,美国进口晶振,Silicon品牌晶振,型号:Si535,编码为:535BB125M000DG,频率为:125MHz,电压3.3V,LVDS输出差分晶振,温度稳定性:±20ppm,工作温度范围:-40℃至+85℃,小体积晶振尺寸:7.0x5.0mm封装,六脚贴片晶振,有源晶振,石英晶振,差分晶体振荡器。应用于:蓝牙晶振,10/40/100G数据中心,10G以太网,交换机/路由器,光纤通道/SAS/存储,企业服务器,网络,电信,光模块,无线网络等应用。
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1

CTS-1

Si535,535BB125M000DG,7050mm,125MHz,Silicon超低抖动晶振,美国进口晶振,Silicon品牌晶振,型号:Si535,编码为:535BB125M000DG,频率为:125MHz,电压3.3V,LVDS输出差分晶振,温度稳定性:±20ppm,工作温度范围:-40℃至+85℃,小体积晶振尺寸:7.0x5.0mm封装,六脚贴片晶振,有源晶振石英晶振,差分晶体振荡器。应用于:蓝牙晶振,10/40/100G数据中心,10G以太网,交换机/路由器,光纤通道/SAS/存储,企业服务器,网络,电信,光模块,无线网络等应用。

Si535 XO利用天空解决方案的先进DSPLL®电路提供一个高速差分频率的超低抖动时钟。与传统的XO不同,每个输出频率都需要一个不同的晶体,而Si535使用一个固定的晶体来提供一个大范围的输出频率。这种基于集成电路的方法允许晶体谐振器提供特殊的频率稳定性和可靠性。此外,DSPLL时钟合成提供了优越的电源噪声抑制,简化了在通信系统中通常发现的噪声环境中产生低抖动时钟的任务。基于Si535 IC的XO在装运时被工厂编程,从而消除了与自定义振荡器相关的长时间的前置时间。

Si535,535BB125M000DG,7050mm,125MHz,Silicon超低抖动晶振,产品特点:

可选频率从100 MHz到312.5 MHz
具有卓越抖动性能和高功率电源噪声抑制的第三代DSPLL®
频率稳定性是SAW振荡器的3倍
可提供LVPECL和LVDS输出差分晶振
3.3V和2.5V电源选项
行业标准5 x 7 mm封装和引脚
无铅/符合RoHS

2

CTS-2

Si535,535BB125M000DG,7050mm,125MHz,Silicon超低抖动晶振,参数表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency1 fO LVPECL/LVDS
125
MHz
Initial Accuracy fi Measured at +25 °C at time of
shipping
±1.5 ppm
Temperature Stability1,2 –7
–20

+7
+20
ppm
Aging fa Frequency drift over first year         ±3 ppm
Frequency drift over 20 year
life
±10 ppm
Total Stability2 Temp stability = ±20 ppm ±31.5 ppm
Temp stability = ±7 ppm 20
Powerup Time3 tOSC TA = –40°C — +85°C         10 ms
3

CTS-3

Si535,535BB125M000DG,7050mm,125MHz,Silicon超低抖动晶振 尺寸图

Si535,Si536尺寸

Si535,Si536

Si535,Si536

石英晶体振荡器 品牌 型号 频率 电压 频率稳定度 包装/封装
535FB125M000DG Silicon晶振 Si535 125MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536BB156M250DG Silicon晶振 Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536FB156M250DG Silicon晶振 Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536AB156M250DG Silicon晶振 Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536EB156M250DG Silicon晶振 Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536BB125M000DG Silicon晶振 Si536 125MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536AB125M000DG Silicon晶振 Si536 125MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
535EB125M000DG Silicon晶振 Si535 125MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536EB125M000DG Silicon晶振 Si536 125MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
535BB125M000DG Silicon晶振 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
535BB156M250DG Silicon晶振 Si535 156.25MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
535FB156M250DG Silicon晶振 Si535 156.25MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
535AB125M000DG Silicon晶振 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
535AB156M250DG Silicon晶振 Si535 156.25MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536FB125M000DG 石英晶振 Si536 125MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
535EB156M250DG Silicon晶振 Si535 156.25MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
500DLAA125M000ACF Silicon晶振 Si500D 125MHz 2.5V ±150ppm 6-SMD, No Lead
500DLAA200M000ACF Silicon晶振 Si500D 200MHz 2.5V ±150ppm 6-SMD, No Lead
590AB70M6560DG Silicon晶振 Si590 70.656MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
590FA200M000DG Silicon晶振 Si590 200MHz 2.5V ±50ppm 6-SMD, No Lead
590DA156M250DG Silicon晶振 Si590 156.25MHz 3.3V ±50ppm 6-SMD, No Lead
591BB300M000DG Silicon晶振 Si591 300MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
550CD74M2500DGR Silicon晶振 Si550 74.25MHz 3.3V ±50ppm 6-SMD, No Lead
514GBB000118AAG Silicon晶振 Si514 156.25MHz 2.5V ±25ppm 6-SMD, No Lead
550AE100M000DGR Silicon晶振 Si550 100MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
550AE100M000DG Silicon晶振 Si550 100MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead

IDT-6


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