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超小型MEMS振荡器SiT1532AI-J4-D14-32.768低电压电池备份电源6G晶振

返回列表 来源:CEOB2B晶振平台 浏览:- 发布日期:2023-06-21 16:07:04【

时间在我们生活的方方面面都扮演着至关重要的角色。正如我们的大脑和心脏是相互依赖的,电子设备中的处理器和计时组件也是如此。随着我们不断拓展技术边界,SiTime MEMS精密计时正在改进系统设计和性能,推出下一代电子产品。今天,我们在日常生活的各个方面都依赖于准确的计时——这就是SiTime的领先之处。作为全球排名第一的振荡器公司,凭借我们革命性的硅MEMS、创新的模拟技术和系统专业知识,我们提供的解决方案正在改变时序市场。超小型MEMS振荡器SiT1532AI-J4-D14-32.768低电压电池备份电源6G晶振

SiT1532是世界上最小、功率最低的32.768kHz可编程晶振,专为移动和其他电池供电应用而优化。SiTime的硅MEMS技术实现了最小的占地面积和芯片级封装。与现有的2.0x1.2mm SMD XTAL封装相比,该器件将32kHz的占地面积减少了85%。与XTAL不同,SiT1532振荡器输出实现了更大的组件放置灵活性,并消除了外部负载电容器,从而节省了额外的组件数量和板空间。与标准石英晶体振荡器不同,SiT1532采用NanoDrive™, 工厂可编程输出,可降低电压摆动以最大限度地减少功率。

1.2V至3.63V的工作电源电压范围使其成为移动应用的理想解决方案,这些应用包括低电压电池备份电源,如硬币电池或超级电容。

超小型MEMS振荡器SiT1532AI-J4-D14-32.768低电压电池备份电源6G晶振,SiTime的MEMS振荡器由MEMS谐振器和可编程模拟电路组成。我们的MEMS谐振器采用SiTime独特的MEMS First®工艺制造。一个关键的制造步骤是EpiSeal®,在此过程中,MEMS谐振器在超过1000°C的温度下进行退火。EpiSeal制造了一个非常坚固、清洁的真空室,用于封装MEMS谐振器,确保最佳性能和可靠性。在EpiSeal过程中,多晶硅帽生长在谐振腔的顶部,这就不需要额外的帽晶圆或其他奇特的封装。因此,SiTime的MEMS谐振器管芯可以像任何其他半导体管芯一样使用。SiTime的MEMS First和EpiSeal制造工艺的一个独特结果是能够将SiTime的微机电系统管芯与SOC、ASIC、微处理器或模拟管芯集成在一个封装内,以消除外部时序组件,并为客户提供高度集成、更小、更便宜的解决方案。

SiT1532

超小型MEMS振荡器SiT1532AI-J4-D14-32.768低电压电池备份电源6G晶振

频率稳定性:
SiT1532经过工厂校准(微调),以确保在室温下频率稳定性低于10 ppm,在-40°C至+85°C的整个温度范围内频率稳定性低于100 ppm。与石英晶体不同,石英晶体具有25°C转换点的经典音叉抛物线温度曲线,SiT1532温度系数在整个温度范围内非常平坦。如图3所示,当工作电压在1.5和3.63V之间时,该装置在整个工作温度范围内保持低于100ppm的频率稳定性。
功能在1.2 V–3.63 V的工作电源电压范围内得到保证。然而,由于内部调节器的限制,频率稳定性在低于1.5V时下降,并且在接近1.2V最小电源时稳定下降。在1.2V和1.5V之间,频率稳定性在温度范围内最大为250ppm。

当使用频率计数器测量SiT1532输出频率时,确保计数器的选通时间>100毫秒是很重要的。32 kHz时钟的低频率会在选通时间较快的情况下产生错误读数。接触SiTime适用于需要更宽电源电压范围>3.63 V或低至1 Hz的低频率选项的应用。

超小型MEMS振荡器SiT1532AI-J4-D14-32.768低电压电池备份电源6G晶振

电源抗扰度:
除了消除标准XTAL常见的外部输出负载电容器外,SiT1532还包括特殊的内部电源滤波,从而消除了对外部Vdd旁路去耦电容器的需求。此功能进一步简化了设计,并使占地面积尽可能小。内部电源滤波设计用于抑制10 MHz范围内大于±150 mVpp的幅度和频率分量。

SiT1532-1

超小型MEMS振荡器SiT1532AI-J4-D14-32.768低电压电池备份电源6G晶振

输出电压:
SiT1532贴片晶振有两种输出电压选项。一种选择是标准LVCMOS输出摆动。第二种选择是NanoDrive减少回转输出。输出摆幅是客户特定的,编程在200 mV和800 mV之间。对于直流耦合应用,输出VOH和VOL在工厂根据客户的要求单独编程。VOH编程范围在600 mV和1.225 V之间,增量为100 mV。类似地,VOL编程范围在350mV和800mV之间。例如;PMIC或MCU在内部是1.8V逻辑兼容的并且需要1.2V VIH和0.6V VIL。只需选择SiT1532 NanoDrive工厂编程代码为“D14”,正确的输出阈值将与下游PMIC或MCU输入要求相匹配。接口逻辑因制造商而异,我们建议您查看输入接口的输入电压要求。
对于直流偏置的NanoDrive输出配置,最小VOL限制为350 mV,最大允许摆幅(VOH–VOL)为750 mV。例如,1.1 V VOH和400 mV VOL是可接受的,但1.2 V VOH和400 mV VOL是不可接受的。

当输出与内部AC耦合的XTAL输入接口时,SiT1532有源晶振输出可以在工厂编程以匹配输入摆动要求。例如,如果PMIC或MCU输入是内部AC耦合的,并且需要800 mV的摆动,那么只需在零件号中选择SiT1532 NanoDrive编程代码“AA8”即可。值得注意的是,SiT1532不包括内部AC耦合电容器。有关零件号订购方案的更多信息,请参阅数据表末尾的零件号订购部分。

SiT1532A.1508

超小型MEMS振荡器SiT1532AI-J4-D14-32.768低电压电池备份电源6G晶振

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