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Raltron晶振,VS9L晶振,VCXO晶振

Raltron晶振,VS9L晶振,VCXO晶振

频率:38~640MHz   尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术,按照最严格的切割机各项设备参数,严格挑选各类晶体切割,如:磨料、线切割线、槽轮等,通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了晶片的精度,提高了生产效率。


Raltron晶振,VS9晶振,VCXO晶振

Raltron晶振,VS9晶振,VCXO晶振

频率:1~180MHz   尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术,按照最严格的切割机各项设备参数,严格挑选各类晶体切割,如:磨料、线切割线、槽轮等,通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了晶片的精度,提高了生产效率。


Raltron晶振,VS4晶振,石英晶体振荡器

Raltron晶振,VS4晶振,石英晶体振荡器

频率:1~125MHz   尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术,按照最严格的切割机各项设备参数,严格挑选各类晶体切割,如:磨料、线切割线、槽轮等,通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了晶片的精度,提高了生产效率。


Raltron晶振,VS2晶振,5070压控晶振

Raltron晶振,VS2晶振,5070压控晶振

频率:1~51.840MHz   尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术,按照最严格的切割机各项设备参数,严格挑选各类晶体切割,如:磨料、线切割线、槽轮等,通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了晶片的精度,提高了生产效率。


Raltron晶振,VPL7晶振,有源贴片晶振

Raltron晶振,VPL7晶振,有源贴片晶振

频率:100~700MHz   尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术,按照最严格的切割机各项设备参数,严格挑选各类晶体切割,如:磨料、线切割线、槽轮等,通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了晶片的精度,提高了生产效率。


Raltron晶振,VPF7晶振,5070有源晶振

Raltron晶振,VPF7晶振,5070有源晶振

频率:60~200MHz   尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

Raltron晶振,VPF5晶振,有源晶振

Raltron晶振,VPF5晶振,有源晶振

频率:60~200MHz   尺寸:5.0*3.2mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。


Raltron晶振,VPF3晶振,VCXO晶振

Raltron晶振,VPF3晶振,VCXO晶振

频率:10~170MHz   尺寸:3.2*2.5mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。


Raltron晶振,VO7晶振,石英晶体振荡器

Raltron晶振,VO7晶振,石英晶体振荡器

频率:1~200MHz   尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

Raltron晶振,VO5晶振,压控晶体振荡器

Raltron晶振,VO5晶振,压控晶体振荡器

频率:1.250~54MHz   尺寸:5.0*3.2mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。


Raltron晶振,VO3晶振,VCXO晶振

Raltron晶振,VO3晶振,VCXO晶振

频率:1.250~70MHz   尺寸:3.2*2.5mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。


Raltron晶振,VLL7晶振,有源贴片晶振

Raltron晶振,VLL7晶振,有源贴片晶振

频率:60~700MHz   尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术,按照最严格的切割机各项设备参数,严格挑选各类晶体切割,如:磨料、线切割线、槽轮等,通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了晶片的精度,提高了生产效率。


Raltron晶振,VLF5晶振,有源贴片晶振

Raltron晶振,VLF5晶振,有源贴片晶振

频率:50~200MHz   尺寸:5.0*3.2mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术,按照最严格的切割机各项设备参数,严格挑选各类晶体切割,如:磨料、线切割线、槽轮等,通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了晶片的精度,提高了生产效率。


Raltron晶振,VLF3晶振,压控晶体振荡器

Raltron晶振,VLF3晶振,压控晶体振荡器

频率:40~170MHz   尺寸:3.2*2.5mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术,按照最严格的切割机各项设备参数,严格挑选各类晶体切割,如:磨料、线切割线、槽轮等,通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了晶片的精度,提高了生产效率。


Raltron晶振,V8F-V8M晶振,压控晶体振荡器

Raltron晶振,V8F-V8M晶振,压控晶体振荡器

频率:12~870MHz   尺寸:14.22*9.19mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术,按照最严格的切割机各项设备参数,严格挑选各类晶体切割,如:磨料、线切割线、槽轮等,通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了晶片的精度,提高了生产效率。


Raltron晶振,TX100晶振,有源晶振

Raltron晶振,TX100晶振,有源晶振

频率:1~155.520MHz   尺寸:20.0*20.0mm

温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.



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