欢迎来到CEOB2B晶振平台

咨询热线:

0755-27839045

日产进口晶振 :
KDS晶振KDScrystal
爱普生晶振EPSONcrystal
NDK晶振NDKcrystal
京瓷晶振KyoceraCrystal
精工晶振SEIKOcrystal
西铁城晶振CITIZENcrystal
村田晶振MurataCrystal
大河晶振RiverCrystal
富士晶振FujicomCrystal
SMI晶振SMICrystal
NAKA晶振NAKACrystal
NJR晶振NJRCrystal
中国台产晶振 :
泰艺晶振TAITIENcrystal
TXC晶振TXCcrystal
鸿星晶振HOSONICcrystal
希华晶振SIWARDcrystal
加高晶振HELEcrystal
百利通亚陶晶振DiodesCrystal
嘉硕晶振TSTcrystal
津绽晶振NSKcrystal
玛居礼晶振MERCURYcrystal
应达利晶振Interquip Crystal
AKER晶振
NKG晶振NKGCrystal
欧美石英晶振 :
CTS晶振CTScrystal
微晶晶振Microcrystal
瑞康晶振RakonCrystal
康纳温菲尔德ConnorWinfield
高利奇晶振GolledgeCrystal
Jauch晶振JauchCrystal
AbraconCrystalAbraconCrystal
维管晶振VectronCrystal
ECScrystal晶振ECScrystal
日蚀晶振ECLIPTEKcrystal
拉隆晶振RaltronCrystal
格林雷晶振GreenrayCrystal
SiTimeCrystalSiTimeCrystal
IDTcrystal晶振IDTcrystal
Pletronics晶振PletronicsCrystal
StatekCrystalStatekCrystal
AEK晶振AEKCrystal
AEL晶振AELcrystal
Cardinal晶振Cardinalcrystal
Crystek晶振Crystekcrystal
Euroquartz晶振Euroquartzcrystal
福克斯晶振FOXcrystal
Frequency晶振Frequencycrystal
GEYER晶振GEYERcrystal
ILSI晶振ILSIcrystal
KVG晶振KVGcrystal
MMDCOMP晶振MMDCOMPcrystal
MtronPTI晶振MtronPTIcrystal
QANTEK晶振QANTEKcrystal
QuartzCom晶振QuartzComcrystal
QuartzChnik晶振QuartzChnikcrystal
SUNTSU晶振SUNTSUcrystal
Transko晶振Transkocrystal
WI2WI晶振WI2WIcrystal
韩国三呢晶振SUNNY Crystal
ITTI晶振ITTICrystal
Oscilent晶振OscilentCrystal
ACT晶振ACTCrystal
Lihom晶振LihomCrystal
Rubyquartz晶振RubyquartzCrystal
SHINSUNG晶振SHINSUNGCrystal
PDI晶振PDICrystal
MTI-milliren晶振MTImillirenCrystal
IQD晶振IQDCrystal
Microchip晶振MicrochipCrystal
Silicon晶振SiliconCrystal
富通晶振FortimingCrystal
科尔晶振CORECrystal
NIPPON晶振NIPPONCrystal
NIC晶振NICCrystal
QVS晶振QVSCrystal
Bomar晶振BomarCrystal
百利晶振BlileyCrystal
GED晶振GEDCrystal
菲特罗尼克斯晶振FiltroneticsCrystal
STD晶振STDCrystal
Q-Tech晶振Q-TechCrystal
安德森晶振AndersonCrystal
文泽尔晶振WenzelCrystal
耐尔晶振NELCrystal
EM晶振EMCrystal
彼得曼晶振PETERMANNCrystal
FCD-Tech晶振FCD-TechCrystal
HEC晶振HECCrystal
FMI晶振FMICrystal
麦克罗比特晶振MacrobizesCrystal
AXTAL晶振AXTALCrystal
ARGO晶振
Skyworks晶振
Renesas瑞萨晶振
有源晶振 :
石英晶体振荡器
温补晶振
压控晶振
VC-TCXO晶振
差分晶振
32.768K有源
恒温晶振
贴片晶振 :
5070晶振
6035晶振
5032晶振
3225晶振
2520晶振
2016晶振
1612晶振
1210晶振
8045晶振
32.768K晶振 :
10.4x4.0晶振
8.0x3.8晶振
7.1x3.3晶振
7.0x1.5晶振
5.0x1.8晶振
4.1x1.5晶振
3.2x1.5晶振
2.0x1.2晶振
1.6x1.0晶振
行业免费论坛广告

在线品牌会员

当前位置首页 » 关于我们 » 晶振术语详解和应用指南

晶振术语详解和应用指南

返回列表 来源:CEOB2B晶振平台 浏览:- 发布日期:2017-07-22 09:29:40【

声表面滤波器-术语解释及其应用指南

术语 定义

AT切割  用特殊的切割角度加工晶体的一种切割方法,用这种切割方法加工的晶体有良好的温度特性,是制造石英晶体元件最常用的方法。

老化率    石英晶振产品频率相对于时间的稳定性,一般情况下它的变化是几个ppm/

等效电阻RI   等效电阻(ESR)通常表明石英晶体谐振器在连续振荡中阻抗性能的好坏

调整频差  各种频率可接收的变化范围(一般情况下用ppm表示)

温度频差  石英晶体元件频率随温度变化而变化的特性。不同的切割方法和不同的切割角度都有不同的特性曲线。HX-1

工作温度范围   贴片晶振晶体元件工作在规定频差之内的工作温度范围。

储存温度范围   晶体能在它的特殊性中得到完好保存的范围。

激励电平  电路中用来驱动晶体元件振荡的电源叫激励电平,越好的产品需要的激励电平越小。

负载电容  从晶体的两个引脚向电路系统看去电路所呈现的全部有效电容,即为负载电容,它与晶体元件一起决定晶振在电路上的工作效率。

等效电路  晶体的等效电路。可利用其表述晶体在谐振频率附近的工作特性,Co表示静态电容,是晶体两电极之间的电容和加上引线及基座带来的电容。RILICI组成晶体等效电路的动态臂。CI表示石英的动态电容。LI为动态电感,RI为动态电阻。

一、术语解释

1、 插入损耗:信号源直接传送给负载阻抗的功率(P0)和插入滤波器后传送给负载阻抗的功率(P1)之比的对数值。通常用分贝(dB)为单位进行度量,表示为IL=10 lg P0/ P1)。

2、 通带波动:通带内衰耗的最大峰值与最小谷值之差。HX-5

3、 通带宽度;指相对衰耗小于和等于某一规定值时的频率宽度(如1dB2dB3dB6dB等)。

4、 阻带衰耗:指整个阻带内的最小衰耗值。

5、 阻带宽度:相对衰耗等于和大于某规定值时的频带宽度(如40dB50dB60dB80dB等)。

6、 匹配阻抗:滤波器技术条件中要求的端接匹配阻抗值。

二、应用指南

石英晶体滤波器根据其结构不同分为集成式单片滤波器和分离式滤波器。

集成式滤波器结构简单、体积小、价格低,但其带宽和频率受到限制,分离式滤波器则可以弥补集成式滤波器的不足,使可实现的频率和带宽得以拓展。

数字通讯技术的发展,对晶体滤波器的群延时特性及互调失真指标提出要求,而分离式滤波器能够较容易解决。

1、 阻抗匹配:性能优良的滤波器在与其端接的电路阻抗不匹配时,滤波特性会变差,引起通带波动增大,插损增加。当外电路阻抗低于滤波器特性阻抗时,中心频率将下移,反之上移。滤波器的测试或使用应符合以下原理图TXC-5

"信号源+电平表"功能由网络分析仪完成

RiR0:仪器内阻:一般为50Ω

R1--滤波器输入端外接阻抗,阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。

R2--滤波器输出端外接阻抗,阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。

在滤波器条件的匹配阻抗中有时有并接电容要求,应按上图连接。

2、 合理的测量电平;如同晶体对激励电平的要求一样,滤波器中其核心元件仍是贴片晶振,因此激励电平在没有规定时,一般选0dB作为输入电平。

3、 良好的屏蔽:对滤波器的输入端和输出端进行良好屏蔽,以使信号源的能量不能直接耦合到负载端。对甚高频以上滤波器,则应使滤波器与仪器间的连接尽量符合同轴线原理。滤波器在线路上时应尽可能采用大面积接地,并将输入、输出端隔离,保证滤波器的阻带衰耗。TXC-2

负载谐振频率

1 表示AT切厚度切变石英晶体随切角变化的频率温度特性曲线。由于AT切频率温度特性等效于三次方程,因此在较宽的温度范围内有较好的频率稳定性。

等效电路

2 为晶体的等效电路,可利用其表述晶体在谐振频率附近的工作特性。Co表示静态电容,是晶体两电极之间的电容再加上引线及基座带来的电容。R1 L1C1组成晶体等效电路的动态臂,C1表示石英晶振的动态电容,L1为动态电感,R1为动态电阻。

谐振频率 fr fa

晶体元件电气阻抗为纯电阻时,对应着两个频率,其中较低的一个为串联谐振频率 fr, 较高的一个为并联谐振频率 fa, fr 时晶体元件对应的电阻值 Rr 称为晶体的谐振电阻,在近似情况下:

负载谐振频率

在规定条件下,晶振元件与一负载电容相串联或并联,其结合阻抗为纯电阻时的两个频率中的一个频率即为 f L 。在串联电容时,负载谐振频率是两个频率中较低的那个频率,而在并联电容时,负载谐振频率则是其中较高的那个频率。对某一个给定的负载电容值( C L ),实际上这两频率是相等的,可近似表述为

TXC-3

负载电容

SMD晶振的两个引脚向电路系统看去电路所呈现的全部有效电容,即为负载电容,它与晶体元件一起决定晶体在电路上的工作频率。

品质因素

Q ”值是晶体等效电路中动态臂谐振时的品质因素。振荡电路所能获得的最大稳定性直接与电路中晶体的 Q 值相关。 Q 值越高,晶体带宽( △ f )越小,电抗值( fs - fa )变化越陡,外部电抗对晶体的影响越小。

石英晶体谐振器主要技术指标

标称频率:有源晶振振荡器输出的中心频率或频率的标称值。

频率准确度:振荡器输出频率在室温(25℃±2)下相对于标称频率的偏差。

调整频差:在指定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的最大允许频率偏差。

负载谐振频率(fL):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为电阻性时(产生谐振)的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,则是两个频率中较高的一个。TXC-4

静电容:等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容,通常用C0表示。

工作温度范围:能够保证振荡器输出频率及其化各种特性符合指标的温度范围。

负载电容:与晶体一起决定负载谐振频率FL的有效外界电容,用CL表示。

负载电容系列:8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF

激励电平:贴片晶振晶体工作时所消耗功率的表征值。激励电平可选值有:2mW1mW0.5mW0.2mW0.1mW50μW20μW10μW1μW0.1μW

老化率:在确定时间内输出频率的相对变化。

基频:在振动模式最低阶次的振动频率。

泛音:晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比整数倍,这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。

TXC-1

频率温度稳定度:在标称电源和负载下,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大允许频偏。

ft=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)

ftref=±MAX[(fmax-fref)/fref|,|(fmin-fref)/fref]

ft晶振频率温度稳定度(不带隐含基准度)

ftref:频率温度稳定度(带隐含基准温)

fmax :规定温度范围内测得的最高频率

fmin:规定温度范围内测得的最低频率

fref:规定基准温度测得的频率

说明:采用ftref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用ft指标的石英晶体振荡器,ftref指标的晶体振荡器售价较高。

NDK-1

石英晶片的制作流程

准备晶棒——晶片切割——晶片排盘——车圆加工——厚度分类——表面粗研——频率检查—— 表面精研——频率检查——频率分类——化学腐蚀——频率检查——频率分类

石英晶体的制作工艺流程

晶片清洗——镀膜——上架、点胶——微调——压封——检漏——老化——测试——终检——包装——入库

晶振行业人士众所周知石英晶体原名称呼为水晶体,主要成分有天然和人工,人工主要成分SiO2,以及化学材料,和到光学材料,当然最主要的还是压电材料了。压电石英晶体最主要的特征是原子或者是分子,是非常有规律的排列。反映在宏观上是外形的对称性。人造水晶在高温高压下结晶而成。在电场的作用下,晶振内部产生应力而形变,从而产生机械振动,获得特定的频率。我们利用它的这种逆压电效应特性来制造石英晶体谐振器。