石英晶振是种频率元件,为电路提供时钟信号频率,被广泛用于各种领域中.CEOB2B晶振平台领先全球电子商务平台,汇集海内外国际晶振知名品牌,更有晶振技术资料免费阅读下载,以下文中所介绍的是关于石英晶振的使用说明最完整的解释.

支架：一个箱体,内装一块薄薄的石英晶振,石英晶体或带有真空蒸发金属电极的晶体条和用于连接的端子.

频率：每秒输出波形的周期数.频率单位是每秒周期数,或赫兹,缩写为Hz.

基本模式：石英晶体的主要模式.

Overtone模式：根据指定的振荡模式分配给奇数的频率.标准的第三种泛音模式,其次是第五,第七,第九等.超越第九种泛音是不切实际的.这些频率并不完全是基频的三倍,五倍,七倍或九倍.

晶振频率容差：室温下与标称频率的允许偏差.晶振频率容差以百分比表示,典型值为±0.005％或百万分率（ppm）,±50ppm.

等效串联电阻：石英晶体在工作谐振电路中表现出的阻抗值.

驱动电平：电路中晶体的功耗量.驱动电平以毫瓦或微瓦表示.过高的驱动电平会导致长期的频率漂移或晶体破裂.

老化：相对频率在一段时间内发生变化.这种石英晶振频率变化率通常是指数性的.通常情况下,老化在头30天内计算,并计算长期（一年或十年）.最高的老化率在手术的第一周内发生,之后缓慢下降.

频率稳定度：与指定温度范围内（即0至+ 70°C）25°C时的测量频率相比,最大允许频率偏差.

并联电容：并联电容（CO）是晶体端子之间的电容.它随封装而变化,通常它在SMD中较小（典型值为4pF）,在含铅晶体中为6pF.

杂散：通常在工作模式之上的不需要的共振,以dB最大值指定.或ESR的次数.频率范围必须指定.例如,在F0±200kHz的频率窗口中,杂散响应应至少为6dB或2.5×R.

振动模式：石英晶体的振动模式随晶体切割而变化,例如AT切割和BT切割的厚度剪切,或音叉晶振的弯曲模式（+ 5oX）切割,或CT,DT切割的面切模式.最流行的切割是AT切割,它可以在宽广的温度变化范围内提供对称的频移.

工作温度范围：石英晶体单元在特定条件下工作的温度范围.

负载电容：负载电容（CL）是振荡器对两个晶体端子的总电容量.当晶体在并联模式下使用时,需要指定负载电容.负载电容计算如下：
 

Cstray可能从2pF到6pF不等.

可拉性：在并联谐振晶体中,频率随负载电容CL的变化而变化.可调性是并联电容Co运动电容C1和晶体尺寸的函数.

绝缘电阻：石英晶体引线之间或引线与外壳（金属外壳）之间的电阻.它在100V±15V的直流电压下测试,绝缘电阻在500莫姆范围内.

串联谐振：当谐振时阻抗最小时发生串联谐振.其串联谐振的等效电路是一个电阻.

品质因数：是运动电感,谐振频率和ESR的质量函数.典型的范围是从十几到几百.
晶体等效电路

示出了石英晶体,贴片晶振的等效电路以解释控制晶体特性和性能的基本元素.它由运动电容C1,电感L1,串联电阻R1和分路电容C0组成.前三个参数被称为石英晶体元件的“运动参数”.