只有追随时代的脚步不断发展创新才能不被淘汰，KDS晶振研发了一款结构厚度仅有传统石英晶体振荡器一半的SPXO晶体振荡器。为了实现小型化，薄型化和高可靠性，此类贴片晶振采用了与传统产品不同的新结构，采用导电胶，陶瓷封装，盖材料。
KDS超薄小贴片晶振Arch.3G系列节省电路空间，可将该产品层压到硅芯片上并将其结合到模制的SiP（系统级封装）模块和电路板中。此类石英晶体振荡器已于2018年5月开始量产。
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型号名称
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DS1008J晶振
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外部尺寸
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1.0×0.8×0.23mmTyp。
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输出频率
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1到100MHz
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电源电压
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1.6至3.6V.
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当前消费
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1.3mA（Vcc=1.8V，48MHz），2.0mA（Vcc=1.8V，96MHz）
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频率容差偏差
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±20×10-6，±30×10-6，±50×10-6，±100×10-6
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工作温度范围
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-40至+85°C
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输出水平
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CMOS
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储存温度范围
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-40至+85°C
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包装单位
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3000个/卷（φ180）
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DS1008J晶振尺寸1.0×0.8×0.23mm，频率范围宽广可做到1MHZ~100MHZ范围，具有低电源电压1.6V~3.6V之间，耐高温40℃~85℃工作温度，被广泛用于内置SiP/IC，智能手机，物联网设备，可穿戴设备，汽车应用等领域。
相比于传统晶振，Arch.3G系列的DS1008J晶振实现了小一般的尺寸，在进行生产时，密封性和导电性以及安装性的技术要也更为困难，由此可见KDS晶振的高超工艺设计。
大真空DS1008J石英晶体振荡器采用KDS独特的健合技术，精细密封技术，由晶体和WLP（晶圆级封装）的三个层的键合晶片，常规的结构等效的气密性，无需使用导电性粘接剂的结构允许所述振动部的整体结构，在耐冲击性的改善显著。此外，通过从清洗晶圆清洗到真空环境中的粘接，大大降低了质量风险。
CEOB2B
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