石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶振晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶振的等效电阻等更接近理论值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。
SUNTSU晶振,有源晶振,SXO75L晶振,7050贴片封装晶振,小型贴片有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,贴片高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和各式IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等数码领域,符合RoHS/无铅.
Suntsu总部位于美国加利福尼亚州奥兰治县，与韩国，中国和台湾的合资伙伴合作成立。Suntsu频率控制公司成立于2002年，由频率控制行业的专业人士设计，并考虑到三个关键原则：建立涵盖全频谱石英晶体频率控制设备的产品阵容，从而为客户提供满足频率控制需求的单一来源。通过设计和制造特定于客户应用的定制组件，鼓励创造力并支持行业创新。通过按时交付提供高质量的产品来培养长期的客户关系。
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项目
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符号
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SXO75L晶振(LVDS)
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条件
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输出频率范围
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f0
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20~260MHZ
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请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
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电源电压
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VCC
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+2.5,3.3V
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请联系我们以了解更多相关信息
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储存温度
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T_stg
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-55℃- +125℃
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裸存
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工作温度
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T_use
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-40℃- +85℃
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请联系我们查看更多资料
http://www.jingzhen95.com/
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频率稳定度
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f_tol
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±20× 10-6
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功耗
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ICC
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2 mA Max.
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无负载条件、最大工作频率
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待机电流
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I_std
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10μA Max.
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ST=GND
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占空比
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SYM
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45 % to 55 %
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50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
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输出电压
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VOH
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-0.5V Min.
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VOL
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+7.0V Max.
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输出负载条件
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L_CMOS
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15pF Max.
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输入电压
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VIH
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+2.5% VCC Max.
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ST 终端
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VIL
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+3.3% VCC Max.
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上升/下降时间
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tr / tf
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4 ns Max.
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20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
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振荡启动时间
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t_str
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3 ms Max.
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t=0 at 90 %
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频率老化
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f_aging
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±3× 10-6 / year Max.
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+25 ℃, 初年度,第一年
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OSC有源石英晶体振荡器型号列表:
机械振动的影响:当高稳定性晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。SUNTSU晶振,有源晶振,SXO75L晶振,7050贴片封装晶振
PCB设计指导:(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于进口石英晶体器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。
(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。(3) 在使用贴片有源晶振焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。
Suntsu晶振所有的经营组织都将积极应用国际标准以及适用的法律法规。为促进低抖动六脚贴片晶振合理有效的公共政策的制订实施加强战略联系。消除事故和环境方面的偶发事件，减少废物的产生和排放，有效的使用能源和各种自然资源，对紧急事件做好充分准备，以便及时做出反应。SUNTSU晶振,有源晶振,SXO75L晶振,7050贴片封装晶振
Suntsu晶振集团将确保其石英贴片有源晶振产品及相关设施满足甚至超出国家的、州立的以及地方环保机构的相关法规规定及其他要求,同时该公司尽可能的参与并协助政府机关和其他官方组织从事的环保活动。 在地方对各项设施的管理责任中,确保满足方针的目标指标,同时在各种经营与生产活动中完全遵守并符合现行所有标准规范的要求。
Suntsu晶振,LVDS输出7050晶振,石英晶体振荡器在“制造、使用、有效利用、再利用”这样一个产品生命周期中，努力创造丰富的价值，给社会带来温馨和安宁，感动和惊喜，同时为减少环境影响，努力做好“防止地球变暖、有效利用资源、对化学物质进行管理”，实现与地球的和谐相处。
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