京瓷晶振,石英晶体振荡器,KC7050B晶振，小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能。
贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定
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项目
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符号
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KC7050B晶振规格说明
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条件
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输出频率范围
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f0
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1.8 MHz to32 MHz
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请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
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电源电压
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VCC
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5V
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请联系我们以了解更多相关信息
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储存温度
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T_stg
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-20℃ to +85℃
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裸存
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工作温度
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T_use
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G: -10℃ to +85℃
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H: -10℃ to +85℃
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J: -10℃ to +85℃
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频率稳定度
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f_tol
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J: ±50 × 10-6
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L: ±100 × 10-6
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T: ±150 × 10-6
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功耗
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ICC
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3.5 mA Max.
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无负载条件、最大工作频率
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待机电流
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I_std
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3.3μA Max.
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ST=GND
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占空比
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SYM
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45 % to 55 %
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50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
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输出电压
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VOH
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VCC-0.4V Min.
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VOL
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0.4 V Max.
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输出负载条件
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L_CMOS
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15 pF Max.
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输入电压
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VIH
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80% VCC Max.
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ST 终端
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VIL
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20 % VCC Max.
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上升/下降时间
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tr / tf
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4 ns Max.
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20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
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振荡启动时间
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t_str
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3 ms Max.
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t=0 at 90 %
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频率老化
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f_aging
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±3 × 10-6 / year Max.
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+25 ℃, 初年度,第一年
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使用环境（温度和湿度）
请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
晶振/石英晶体谐振器
激励功率
在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率
负极电阻
除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加
负载电容
有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容。
京瓷晶振环保理念
京瓷晶振全体员工都积极地投身环保活动,希望能够在兼顾环保性和经济性的同时,实现可持续发展。尤其是在节能、温室效应对策方面,引进节能设备、安装太阳能发电系统、实施墙面绿化等开展了一系列节能活动。此外,还开展了保护生物多样性等活动。京瓷晶振为区域发展所做的贡献受到了高度评价,连续6年荣获日本环境省颁发的"防止全球变暖活动环境大臣表彰奖",成为获奖次数最多的企业。
京瓷晶振的各项贴片晶振，陶瓷晶振等能源、资源消耗指标和排放指标达到国内领先、国际先进水平。
实施创新战略，提高自主创新能力，确保公司可持续发展。实施节约战略，提高建设节约环保型企业能力，确保实现节能环保规划目标。
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