6G路由器应用晶振,EG-2121CA150.0000M-LGPAB,爱普生LVDS差分晶振

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6G路由器应用晶振,EG-2121CA150.0000M-LGPAB,爱普生LVDS差分晶振

6G路由器应用晶振,EG-2121CA150.0000M-LGPAB,爱普生LVDS差分晶振，日本EPSON爱普生株式会社，进口晶振EG-2121CA，编码为：EG-2121CA150.0000M-LGPAB，频率为：150.000000 MHz，小体积晶振尺寸：7.0x5.0mm，六脚贴片晶振，LVDS输出差分晶体振荡器，精度50ppm，工作温度范围：-20℃至+70℃，电源电压2.5V，低抖动锯振荡器（SPSO），有源晶振，石英晶振，无铅环保晶振，石英晶体振荡器，具有超小型，轻薄型，低相位噪声，低抖动，低功耗，低损耗，低电源电压，低电平的特点。适用于：通讯设备，6G兼容设备、基站、光终端设备、路由器、物联网，无线网络，蓝牙模块晶振，光纤通信，10G以太网及各种频率控制设备上。

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6G路由器应用晶振,EG-2121CA150.0000M-LGPAB,爱普生LVDS差分晶振，参数图

型号		EG-2121CA 参数说明
Item	Symbol	LVDS	Conditions/Remarks
Output frequency range	f0	150.000000MHz	Please contact us for inquiries regarding available frequencies.
Supply voltage	VCC	2.5V ± 0.125V
Storage temperature	T_stg	-40°C to +100°C	Store as bare product.
Operating temperature	T_use	P : 0°C to +70°C
		R : -5°C to +85°C
		S : -20°C to +70°C
Frequency tolerance	f_tol	G : ± 50 × 10-6
		H : ±100 × 10-6
Current consumption	ICC	30mA Max.	OE = VCC , L_LVDS = 100Ω
Disable current	I_dis	20mA Max.	OE = GND
Symmetry	SYM	L : 40% to 60%	at outputs crossing point
		( f0 > 350MHz )
		L : 45% to 55%
		( f0 ≦ 350MHz )
		V : 48% to 52%
		( f0 ≦ 175MHz )
Output voltage	VOD	350mV Typ.	VOD1 , VOD2	DC characteristics
		247mV to 454mV
	dVOD	50mV Max.	dVOD = \| VOD1 - VOD2 \|
	VOS	1.25V Typ.	VOS1 , VOS2
		1.125V to 1.375V
	dVOS	150mV Max.	dVOS = \| VOS1 - VOS2 \|
Output load condition	L_LVDS	100Ω	Connected between OUT to OUT
(LVDS)
Input voltage	VIH	70% VCC Min.	OE terminal
	VIL	30% VCC Max.
Rise time / Fall time	tr / tf	400ps Max.	Between 20% and 80% of Differential Output peek to peek voltage
Start-up time	t_str	10ms Max.	Time at minimum supply voltage to be 0s
Phase Jitter	tPJ	0.8ps Max.	f0 < 100MHz	Offset frequency:
		0.5ps Max.	100MHz ≦ f0 < 200MHz	12kHz to 20MHz
		0.3ps Max.	200MHz ≦ f0
Frequency aging	f_aging	± 10 × 10-6 / year Max.	+25°C , First year , VCC = 2.5V

6G路由器应用晶振,EG-2121CA150.0000M-LGPAB,爱普生LVDS差分晶振，尺寸图

6G路由器应用晶振,EG-2121CA150.0000M-LGPAB,爱普生LVDS差分晶振

晶振，作为电子产品的心脏部分，为电路提供稳定，持续的时钟信号，我们可能并不陌生，但具体细分到普通晶振（单端），差分晶振可能大家就有些分不清楚了，尤其是差分晶振。
我们所谓的单端或差分，主要是指输出模式，单端一般是CMOS，TTL电平信号，只需要一根线输出就好了，优点是走线方便，但缺点也很明显，就是抗干扰能力差，不适合高速信号（100MHz以上）。
差分晶振一般是LVDS，LVPECL等信号，需要两根线输出。优点是抗干扰能力强，缺点是布线需要注意。
单端模式是不支持高速应用的，如：125MHz，200MHz及以上，主要原因以下三点：
(1)，电平幅度大，信号高低电平之间的转换时间长，不适用于传输频率达到100MHz以上的信号
(2)，输出信号为单端信号（一条线），传输路径易受到干扰，不利于长线传输
(3)，功耗大，大家都知道TTL器件的静态功耗较大，即使静态功耗小的CMOS器件，由于电平摆幅宽，其动态功耗也偏大。
差分信号则是两条线传输，会输出一组振幅相同，相位相反的信号。而接收端则会根据两个信号的电压差值来判断逻辑状态，所以在高速通信中，差分信号的抗干扰特性是明显优于单端信号的。
差分晶振与普通晶振的区别：
1，首先是管脚封装不同，普通晶振是4脚，差分晶振是6脚贴片晶振
2，其次是输出信号不同，普通晶振是单端输出，差分晶振则是差分输出
3，应用场合不同，普通晶振用于低速（100MHz以下），差分晶振用于高速（100MHz以上）
4，抗干扰能力也不同，差分晶振的信号抗干扰能力明显要优于普通晶振
5，价格不同，差分晶振的价格要远高于普通晶振。

有源晶振	型号	频率	尺寸	输出方式	电源电压	工作温度
X1M0000910001	EG-2102CA	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.20 mm	HCSL	3.000 to 3.600 V	0 to 70 °C
X1M0000910002	EG-2102CA	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.20 mm	HCSL	3.000 to 3.600 V	0 to 70 °C
X1M0000910003	EG-2102CA	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.20 mm	HCSL	3.000 to 3.600 V	0 to 70 °C
X1M0000910004	EG-2102CA	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.20 mm	HCSL	3.000 to 3.600 V	-5 to 85 °C
X1M0000910005	EG-2102CA	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.20 mm	HCSL	3.000 to 3.600 V	-20 to 70 °C
X1M0000910006	EG-2102CA	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.20 mm	HCSL	3.000 to 3.600 V	0 to 70 °C
X1M0000910007	EG-2102CA	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.20 mm	HCSL	3.000 to 3.600 V	-5 to 85 °C
X1M0000910008	EG-2102CA	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.20 mm	HCSL	3.000 to 3.600 V	0 to 70 °C
X1M0000910009	EG-2102CA	312.500000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.20 mm	HCSL	3.000 to 3.600 V	0 to 70 °C
X1M0000910010	EG-2102CA	322.265625 MHz	7.00 x 5.00 x 1.20 mm	HCSL	3.000 to 3.600 V	-5 to 85 °C
X1M0002010001	EG-2102CB	133.330000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.40 mm	LV-PECL	2.970 to 3.630 V	0 to 70 °C
X1M0002010002	EG-2102CB	150.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.40 mm	LV-PECL	2.970 to 3.630 V	0 to 70 °C
X1M0002010003	EG-2102CB	133.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.40 mm	LV-PECL	2.970 to 3.630 V	0 to 70 °C
X1M0002010004	EG-2102CB	156.250000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.40 mm	LV-PECL	2.970 to 3.630 V	0 to 70 °C
X1M0002010005	EG-2102CB	212.500000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.40 mm	LV-PECL	2.970 to 3.630 V	-20 to 70 °C
X1M0002010006	EG-2102CB	644.531300 MHz	5.00 x 3.20 x 1.40 mm	LV-PECL	2.970 to 3.630 V	0 to 70 °C
X1M0002010007	EG-2102CB	625.000000 MHz	石英贴片晶振	LV-PECL	2.970 to 3.630 V	-5 to 85 °C
X1M0002010008	EG-2102CB	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.40 mm	LV-PECL	2.970 to 3.630 V	-5 to 85 °C
X1M0002010009	EG-2102CB	150.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.40 mm	LV-PECL	2.970 to 3.630 V	0 to 70 °C
X1M0002010010	EG-2102CB	106.250000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.40 mm	LV-PECL	2.970 to 3.630 V	-5 to 85 °C
X1M0002210002	EG-2102CB	200.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	2.970 to 3.630 V	0 to 70 °C
X1M0002210003	EG-2102CB	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	2.970 to 3.630 V	0 to 70 °C
X1M0002210004	EG-2102CB	266.500000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	2.970 to 3.630 V	-20 to 70 °C
X1M0002210005	EG-2102CB	156.250000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	2.970 to 3.630 V	-20 to 70 °C
X1M0002210006	EG-2102CB	148.500000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	2.970 to 3.630 V	-20 to 70 °C
X1M0002210007	EG-2102CB	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	2.970 to 3.630 V	-5 to 85 °C
X1M0002210008	EG-2102CB	148.351648 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	2.970 to 3.630 V	0 to 70 °C
X1M0002210009	EG-2102CB	148.350000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	2.970 to 3.630 V	-20 to 70 °C
X1M0002210010	EG-2102CB	200.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	2.970 to 3.630 V	-20 to 70 °C
X1M0002210011	EG-2102CB	156.250000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	2.970 to 3.630 V	0 to 70 °C

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