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项目
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符号
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8N3SV75规格说明
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条件
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输出频率范围
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f0
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15.476MHz to 1300MHz
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请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
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电源电压
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VCC
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2.5V to 3.3 V
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请联系我们以了解更多相关信息
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储存温度
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T_stg
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-55℃ to +125℃
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裸存
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工作温度
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T_use
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G: -40℃ to +85℃
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请联系我们查看更多资料http://www.jingzhen95.com/
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H: -40℃ to +105℃
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J: -40℃ to +125℃
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频率稳定度
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f_tol
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J: ±50 × 10-6
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L: ±100 × 10-6
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T: ±150 × 10-6
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功耗
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ICC
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3.5 mA Max.
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无负载条件、最大工作频率
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待机电流
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I_std
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3.3μA Max.
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ST=GND
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占空比
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SYM
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45 % to 55 %
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50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
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输出电压
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VOH
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VCC-0.4V Min.
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VOL
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0.4 V Max.
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输出负载条件
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L_CMOS
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15 pF Max.
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输入电压
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VIH
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80% VCC Max.
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ST 终端
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VIL
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20 % VCC Max.
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上升/下降时间
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tr / tf
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4 ns Max.
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20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
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振荡启动时间
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t_str
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3 ms Max.
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t=0 at 90 %
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频率老化
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f_aging
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±3 × 10-6 / year Max.
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+25 ℃, 初年度,第一年
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晶振使用注意事项
＜晶体谐振器＞
如果过大的激励电力对石英晶体谐振器外加电压，有可能导致特性老化或损坏，因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用。
让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值。本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上，若是车载和安全设备，则推荐10倍 以上。
＜晶体振荡器＞
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS。闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑。
有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接。使用时，请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器（陶瓷片状电容器等）以 最短距离连接。关于个别机型请确认宣传册、规格书。
＜晶体滤波器＞
注意电路板图形的配置，避免输入端子和输出端子靠得太近。
如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大，为了消除该杂散电容，有时需要配置调谐电路。
如果过大的激励电力对谐振器外加电压，有可能导致特性老化或损坏，因此请在滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用。IDT晶振,8N3SV75晶振,进口有源晶振
IDT 晶振集团环保基本理念：
IDT 晶振集团采用系统的方法来解决其产品的环境影响开发和销售拥有最有利的环境特性同时又满足最高可能功效标准的石英晶振,贴片晶振。采用对环境尽可能健康的生产工艺。
无论公司在世界何处,其经营都应保证生产过程和产品符合同等的环境标准，确保业务合作伙伴对环境问题同等关注。从事并参与环境领域的研究和开发活动以公开和客观的方式提供有关其环境影响的信息
在晶振,石英晶振,5070晶振,压控振荡器开发和制造过程中使用对环境健康的、可回收利用的材料为开发高效的、对环境影响最小的运输系统而工作。
IDT 晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标,并确保其环境保护活动的质量.集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的遵守情况.另外为更有效的进行环境保护,将建立自己的特有的环境标准.
IDT 晶振集团将在各领域内的晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少废弃物等.IDT晶振,8N3SV75晶振,进口有源晶振
CEOB2B
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