SPXO,SG-210SCD,X1G0029210042,60MHz,CMOS,2520mm振荡器

产品简介

SPXO,SG-210SCD,X1G0029210042,60MHz,CMOS,2520mm振荡器，日本进口晶振，EPSON爱普生晶振型号：SG-210SCD，编码为：X1G0029210042，频率为：60.000MHz，小体积晶振尺寸：2.5x2.0mm封装，四脚贴片晶振，有源晶振，石英晶体振荡器，工作温度范围：-40℃至+85℃，CMOS输出，晶体振荡器(SPXO)，具有超小型，轻薄型，低抖动，耐热及耐环境特点，应用于通讯设备，无线网络，蓝牙模块，汽车电子设备，导航仪，智能手机，平板电脑，医疗设备，数码电子，物联网应用等.

产品详情

SPXO,SG-210SCD,X1G0029210042,60MHz,CMOS,2520mm振荡器，参数图

项目	符号	规格说明			条件
		SG-210SED	SG-210SDD	SG-210SCD
输出频率范围	0	50.000 MHz ~ 80.000 MHz			请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	1.8 V Typ.	2.5 V Typ.	3.3 V Typ.
		1.6 V ~ 2.2 V	2.2 V ~ 3.0 V	2.7 V ~ 3.6 V
储存温度	T_stg	-40oC ~ +125 °C			裸存
工作温度	T_use	-40oC ~ +85 °C
频率稳定度	f_tol	B :			-20℃~ +70℃
		50 × 10-6 , C :
		100 × 10-6
		M :			-40℃~ +85℃
		50 × 10-6 , L :
		100 × 10-6
功耗	ICC	6.0 mA Max.	7.0 mA Max.	8.0 mA Max.	无负载条件
待机电流	I_std	10.0 µA Max.			ST =GND
占空比	SYM	45 % ~ 55 %			50 % VCC级别, L_CMOS
					15 pF
输出电压	VOH	VCC -0.4 V Min.			IOH=-8 mA(SCD,SDD),-4 mA(SED)
	VOL	0.4 V Max.			IOL= 8 mA(SCD,SDD), 4 mA(SED)
输出负载条件(CMOS)	L_CMOS	30 pF Max.
输入电压	VIH	70 % VCC Min .			ST终端
	VIL	30 % VCC Max.
上升/下降时间	tr/ tf	4 ns Max.			20% VCC~80% VCC极L_CMOS=15pF
振荡启动时间	t_str	2 ms Max.			在90 % VCC时，所需时间为0秒
频率老化	f_aging	3 × 10-6 / year Max.			+25 °C,第一年，VCC=1.8V ,2.5V, 3.3V
		10 × 10-6 / 10 years Max.			+25 °C, 10年，VCC=1.8V ,2.5V, 3.3V
抖动*1	DJ	0.1 ps Typ.	0.1 ps Typ.		确定性抖动
	RJ	3.2 ps Typ.	2.7 ps Typ.		随机抖动	L_CMOS
	RMS	30 psTyp.	25 psTyp.		峰-峰值	15pF
相位抖动	PJ	1.0 ps Max.			频率偏移(频偏)：
					12kHz ~ 20MHz

SPXO,SG-210SCD,X1G0029210042,60MHz,CMOS,2520mm振荡器，尺寸图

编码	型号	频率	尺寸	输出方式	电源电压
X1G0029210002	SG-210SCD	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210008	SG-210SCD	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210017	SG-210SCD	74.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210019	SG-210SCD	66.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210022	SG-210SCD	62.500000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210029	SG-210SCD	61.895900 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210036	SG-210SCD	66.666600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210038	SG-210SCD	66.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210042	SG-210SCD	60.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210043	SG-210SCD	60.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210048	SG-210SCD	80.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210053	SG-210SCD	66.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210058	SG-210SCD	74.176000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210061	SG-210SCD	66.666700 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210062	SG-210SCD	66.660000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210064	SG-210SCD	66.666000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210065	SG-210SCD	74.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210069	SG-210SCD	50.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210072	SG-210SCD	63.710000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210079	SG-210SCD	72.578300 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210080	SG-210SCD	63.111600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210082	SG-210SCD	62.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210083	SG-210SCD	59.800000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210085	SG-210SCD	63.360000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210086	SG-210SCD	50.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210087	SG-210SCD	54.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210088	SG-210SCD	77.700000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V
X1G0029210094	SG-210SCD	63.071918 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.700 to 3.600 V