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KDS晶振,DSV753CK晶振,压控晶振

KDS晶振,DSV753CK晶振,压控晶振

频率:350~700MHz  尺寸:5.0*7.0mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV753CJ晶振,压控晶振

KDS晶振,DSV753CJ晶振,压控晶振

频率:350~700MHz  尺寸:5.0*7.0mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV531SB/DSV532SB晶振,贴片有源晶体振荡器

KDS晶振,DSV531SB/DSV532SB晶振,贴片有源晶体振荡器

频率:5~50MHz  尺寸:5.0*3.2mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV531SV/DSV532SV晶振,压控晶振

KDS晶振,DSV531SV/DSV532SV晶振,压控晶振

频率:1.25~80MHz  尺寸:5.0*3.2mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV323SV晶振,VCXO晶振

KDS晶振,DSV323SV晶振,VCXO晶振

频率:6.75~186MHz  尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV323SK晶振,贴片晶振

KDS晶振,DSV323SK晶振,贴片晶振

频率:40~170MHz  尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV323SJ晶振,有源晶振

KDS晶振,DSV323SJ晶振,有源晶振

频率:80~170MHz  尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV323SD晶振,OSC晶振

KDS晶振,DSV323SD晶振,OSC晶振

频率:80~170MHz  尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV321SV晶振,3225贴片晶振

KDS晶振,DSV321SV晶振,3225贴片晶振

频率:6.75~90MHz  尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV321SR晶振,压控晶振

KDS晶振,DSV321SR晶振,压控晶振

频率:13.5~54MHz  尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV221SV晶振,贴片压控振荡器

KDS晶振,DSV221SV晶振,贴片压控振荡器

频率:6.75~90MHz  尺寸:2.5*2.0mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV221SR晶振,2520有源晶振

KDS晶振,DSV221SR晶振,2520有源晶振

频率:7.5~60MHz  尺寸:2.5*2.0mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV211AV晶振,贴片晶体振荡器

KDS晶振,DSV211AV晶振,贴片晶体振荡器

频率:12MHz,19.2~80MHz  尺寸:2.0*1.6mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSV211AR晶振,压控晶体振荡器

KDS晶振,DSV211AR晶振,压控晶体振荡器

频率:19.2~60MHz  尺寸:2.0*1.6mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
KDS晶振,DSA1612SDN晶振,VC-TCXO晶振

KDS晶振,DSA1612SDN晶振,VC-TCXO晶振

频率:16~60MHz  尺寸:1.6*1.2mm
压控温补晶体系列,VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术:具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求。
KDS晶振,DSA1612SDM晶振,超小型VC-TCXO晶振

KDS晶振,DSA1612SDM晶振,超小型VC-TCXO晶振

频率:19.2~52MHz  尺寸:1.6*1.2mm
1612体积的温补晶振(TCXO),是目前有源晶振中体积较小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.
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