SITIME晶振是全球排名第一硅晶振荡器科研开发和生产商，专注MEMS可编程领域的有源晶振和谐振器系列，自从多年前成功推出了成本缩减50%的可编程振荡器后，在业界名声大振，一石激起千层浪瞬间引发行业舆论，热度久久散不去，推动了硅晶振的发展。拥有一百多项技术专利的SiTime晶振公司，从2005年开始就致力于MEMS可编程晶振的科研和发展工作，为全球用户提供一颗又一颗高质量，低成本的硅晶晶振。

企业采购在寻找进口晶振供应商时，一般只要了解对方报的参数，尺寸和品牌是否对应，但工程不一样，比较关心晶振的品质和一些技术类的信息，了解多一点有助于他们项目研发工作和进程，这也是为什么会有部分工程技术亲自寻找供应商的原因之一。美国SiTime公司非常乐意提供相关的技术信息，而且他们的工艺在这个产业里属于顶尖的，制造量产MEMS谐振器和可编程振荡器的工艺无与伦比。

由于目前硅晶振还没有石英晶振那样普遍，许多人对于SiTime晶振公司和可编程振荡器仍有许多疑问，以下是SiTime公司提供的有关数据和技术资料，CEOB2B晶振平台将以问答方式为各个企业和工厂的工程师解惑。

问题一：MEMS振荡器的激活能量是多少？

SiTime MEMS振荡器采用标准半导体封装工艺，采用MEMS谐振器和CMOS芯片构建。由于迄今为止已售出的2.5亿个产品中没有MEMS谐振器故障，我们无法计算MEMS的激活能量（Ea）。因此，我们使用CMOS的行业标准Ea=0.7eV作为产品的Ea。我们使用设备最差情况元素的Ea作为Ea来计算我们产品的可靠性指标，FIT和MTBF。

问题二：测量SiT15xx KHz振荡器频率有哪些特殊考虑因素？

SiTime建议使用高分辨率频率计数器（如Agilent 53131/2A和Agilent 53230A）使用100ms或更长的门控时间。对于SiT15xx系列微功率32 kHz振荡器的精确频率测量，频率计数器必须具有高稳定性OCXO参考或遵守GPS或铷时钟参考。对于其他仪器，如时间间隔分析仪或简单计数器，建议使用1秒或更长的门控时间。

问题三：负载如何影响电流消耗？

在大多数应用中，LVCMOS振荡器驱动容性负载。在上升沿期间，器件从电源汲取电流以充电负载电容。在下降沿期间，电容放电至GND。通过负载的平均电流取决于以下参数：

输出频率（Fout）。这决定了从电源汲取电流的频率。

负载电容值（Cload）。较大的电容值需要更多电流来为负载电容充电。

电源电压（Vdd）。需要更多电流将负载充电至更高的电压。

来自负载的额外电源电流计算如下：

I_load = Cload * Vdd * Fout

问题四：数据表中规定的工作电源电压容差，例如额定VDD的+/-10％，是否意味着器件可以承受的交流纹波噪声的最大幅度？

不可以。数据表中的工作电源电压容差指定了器件已被表征的直流电压范围。该直流电压容差（通常为标称VDD的10％）不应与电源电压上的交流噪声纹波相混淆。抑制来自电源的AC噪声的能力由电源噪声灵敏度（PSNS）定义，PSNS测量在特定电源噪声频谱范围内由AC噪声纹波引起的额外抖动量。

问题五：SiTime基于MEMS的振荡器是否会受到“活动下降”的影响？

“活动下降”被定义为基于压电石英晶体谐振器的振荡器中频率的突然变化。基于晶体的振荡器通常可以在临界温度下表现出活动倾角，并且在温度偏离临界值的小偏差时突然恢复到正常行为。

活动逢低的最常见原因是：

“耦合模式”-不同晶体振荡模式与不同温度系数的碰撞。

水晶封装内的水分凝结在石英板上。

所有这些效应都可以破坏主要的能量振荡模式，有效地使晶振在不同的晶体模式下退出振荡或暂时振荡。

SiTime基于MEMS的振荡器不受这些影响，原因有两个：

SiTime MEMS振荡模式主要由硅的材料特性决定; 所有模式或寄生响应特性随温度变化的方式与基本振荡模式完全相同。因此，不同的模式永远不会在相同的频率上相互作用并导致下降。

SiTime的MEMS First™工艺采用标准硅制造技术，在非常高温，清洁，真空的环境中密封MEMS。这为MEMS创造了一个极其清洁，无湿气的环境，并消除了污染或湿气引起的活动下降的可能性。

随着全球科技化，智能化产品兴趣，越来越多的生产厂家选择使用SiTime晶振，市场的需求量日益加大，再加上成本降低更有利于工厂和企业采购。CEOB2B晶振平台聚焦了国内众多SiTime代理商和销售代表，发布了SiTime公司所有型号产品信息，可供采购和工程们挑选，如果想要应用可编程的贴片晶振，那么SiTime晶振和CEOB2B晶振平台是客户最佳的选择！