欢迎来到CEOB2B晶振平台

咨询热线:

0755-27839045

日产进口晶振 :
KDS晶振KDScrystal
爱普生晶振EPSONcrystal
NDK晶振NDKcrystal
京瓷晶振KyoceraCrystal
精工晶振SEIKOcrystal
西铁城晶振CITIZENcrystal
村田晶振MurataCrystal
大河晶振RiverCrystal
富士晶振FujicomCrystal
SMI晶振SMICrystal
NAKA晶振NAKACrystal
NJR晶振NJRCrystal
中国台产晶振 :
泰艺晶振TAITIENcrystal
TXC晶振TXCcrystal
鸿星晶振HOSONICcrystal
希华晶振SIWARDcrystal
加高晶振HELEcrystal
百利通亚陶晶振DiodesCrystal
嘉硕晶振TSTcrystal
津绽晶振NSKcrystal
玛居礼晶振MERCURYcrystal
应达利晶振Interquip Crystal
AKER晶振
NKG晶振NKGCrystal
欧美石英晶振 :
CTS晶振CTScrystal
微晶晶振Microcrystal
瑞康晶振RakonCrystal
康纳温菲尔德ConnorWinfield
高利奇晶振GolledgeCrystal
Jauch晶振JauchCrystal
AbraconCrystalAbraconCrystal
维管晶振VectronCrystal
ECScrystal晶振ECScrystal
日蚀晶振ECLIPTEKcrystal
拉隆晶振RaltronCrystal
格林雷晶振GreenrayCrystal
SiTimeCrystalSiTimeCrystal
IDTcrystal晶振IDTcrystal
Pletronics晶振PletronicsCrystal
StatekCrystalStatekCrystal
AEK晶振AEKCrystal
AEL晶振AELcrystal
Cardinal晶振Cardinalcrystal
Crystek晶振Crystekcrystal
Euroquartz晶振Euroquartzcrystal
福克斯晶振FOXcrystal
Frequency晶振Frequencycrystal
GEYER晶振GEYERcrystal
ILSI晶振ILSIcrystal
KVG晶振KVGcrystal
MMDCOMP晶振MMDCOMPcrystal
MtronPTI晶振MtronPTIcrystal
QANTEK晶振QANTEKcrystal
QuartzCom晶振QuartzComcrystal
QuartzChnik晶振QuartzChnikcrystal
SUNTSU晶振SUNTSUcrystal
Transko晶振Transkocrystal
WI2WI晶振WI2WIcrystal
韩国三呢晶振SUNNY Crystal
ITTI晶振ITTICrystal
Oscilent晶振OscilentCrystal
ACT晶振ACTCrystal
Lihom晶振LihomCrystal
Rubyquartz晶振RubyquartzCrystal
SHINSUNG晶振SHINSUNGCrystal
PDI晶振PDICrystal
MTI-milliren晶振MTImillirenCrystal
IQD晶振IQDCrystal
Microchip晶振MicrochipCrystal
Silicon晶振SiliconCrystal
富通晶振FortimingCrystal
科尔晶振CORECrystal
NIPPON晶振NIPPONCrystal
NIC晶振NICCrystal
QVS晶振QVSCrystal
Bomar晶振BomarCrystal
百利晶振BlileyCrystal
GED晶振GEDCrystal
菲特罗尼克斯晶振FiltroneticsCrystal
STD晶振STDCrystal
Q-Tech晶振Q-TechCrystal
安德森晶振AndersonCrystal
文泽尔晶振WenzelCrystal
耐尔晶振NELCrystal
EM晶振EMCrystal
彼得曼晶振PETERMANNCrystal
FCD-Tech晶振FCD-TechCrystal
HEC晶振HECCrystal
FMI晶振FMICrystal
麦克罗比特晶振MacrobizesCrystal
AXTAL晶振AXTALCrystal
ARGO晶振
Skyworks晶振
Renesas瑞萨晶振
有源晶振 :
石英晶体振荡器
温补晶振
压控晶振
VC-TCXO晶振
差分晶振
32.768K有源
恒温晶振
贴片晶振 :
5070晶振
6035晶振
5032晶振
3225晶振
2520晶振
2016晶振
1612晶振
1210晶振
8045晶振
32.768K晶振 :
10.4x4.0晶振
8.0x3.8晶振
7.1x3.3晶振
7.0x1.5晶振
5.0x1.8晶振
4.1x1.5晶振
3.2x1.5晶振
2.0x1.2晶振
1.6x1.0晶振
为你解决国内外知名品牌产品料号代码,查询对照

在线品牌会员

当前位置首页 » 关于我们 » 压电石英晶体技术资料 » 论MEMS振荡器与石英晶体振荡器的电磁敏感性比较谁更胜一筹

论MEMS振荡器与石英晶体振荡器的电磁敏感性比较谁更胜一筹

返回列表 来源:CEOB2B晶振平台 浏览:- 发布日期:2018-07-09 11:23:04【

  CEOB2B晶振平台给大家讲解的是关于美国知名频率元件制造商SITIME晶振集团,在生产MEMS振荡以及硅晶振和其他可编程晶振是世界领先的技术制造商,在这方面上是无人能及,是生产石英晶体振荡器的效仿者.今天介绍的便是MEMS振荡器的架构以及实验结果

  为了简洁地量化每个设备的EMS,我们使用等式2计算80MHz到1GHz范围内噪声杂散的平均功率P。在这个方程中,Sp是每个电磁噪声频率的电磁感应杂散的大小,N是数量扫描中的频率。方程式2我们对在两种不同载波频率下工作的各种市售石英晶振和基于MEMS的振荡器进行了EMS测试(见表1 )。表1。被测振荡器;单端部件(阴影蓝色)工作在26MHz,并且差分部分(阴影绿色)工作在156.25MHz

论MEMS振荡器与石英振子的电磁敏感性比较谁更胜一筹

实验结果
  平均噪声杂散数据显示,SiTime差分晶振MEMS振荡器的性能优于竞争的差分MEMS和石英振荡器,最高可达35db,相当于图5所示对辐射场的抗扰度提高了54倍。如图6所示,SiTime单端振荡器的性能比基于quartzbise的振荡器高出12db,或者说是辐射场抗扰度的4倍。这是因为SiTime MEMS振荡器的初级噪声杂散幅度低于石英振荡器。因此,根据等式2计算为平方和的根的平均杂散功率很大

论MEMS振荡器与石英振子的电磁敏感性比较谁更胜一筹

图5:差分振荡器对辐射电磁场的敏感度,80MHz1GHz

论MEMS振荡器与石英振子的电磁敏感性比较谁更胜一筹

图6:单端振荡器对辐射电磁场的敏感度,80MHz1GHz
4个振荡器,用于降低电磁干扰灵敏度
  这一结果与围绕石英振荡器的金属罐外壳提供比塑料封装更好的EMI保护的想法不一致。SiTime MEMS振荡器封装在塑料中,但它们显示出较低程度的电磁感应噪声激励。除了封装之外,还必须解释基于记忆和基于石英的振荡器之间EMS的变化。答案可能在于谐振器或其附带的振荡器电路,这两者对EMI都很敏感。
  石英晶体是压电材料,响应机械振动而积累电荷。因此,它们的工作频率可能会受到输入电信号(如不想要的EMI )的影响,从而对时钟信号的可靠性产生负面影响。SiTime的硅MEMS石英晶体谐振器通过静电激励表现出机械振动,因此自然对进入的EMI不太敏感。它们经过精确调谐,具有高Q值,可抑制外部噪声

论MEMS振荡器与石英振子的电磁敏感性比较谁更胜一筹

图7 : SiTime MEMS振荡器架构
  SiTime MEMS振荡器背后的驱动电路是一个模拟电路(如图7所示),它优化了电噪声条件下的性能,包括具有高水平EMI的条件。振荡器设计包括固有地抑制任何耦合共模噪声的差分电路。其他石英和MEMS振荡器设计更多地依赖封装,而不是噪声抑制模拟电路,因此没有这种优势。
结论
  SiTime MEMS振荡器对引起抖动的外部EMI源特别有弹性。即使在竞争对手振荡器信号严重恶化的范围内,高频EMI噪声也是如此。根据SiTime在第三方认证实验室进行的委托测试以及其他有关EMI [ 1 ] [ 2 ]的研究结果,压电石英器件更容易受到EMI的影响。因此,SiTime振荡器是在可能存在大电磁源的潜在嘈杂、不可预知的环境中可靠操作的极好选择。